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龙图腾网获悉青岛佳恩半导体有限公司申请的专利一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120449790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510511119.3，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法是由王丕龙;王新强;杨玉珍;谭文涛设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法，属于芯片设计技术领域，本发明通过有限元仿真分析栅极漏极重叠区域产生的米勒电容值。然后设计不同尺寸的栅极与漏极结构，精确控制间距参数并计算重叠率。采用双场板结构，应用纳什均衡博弈模型分析场板长度与寄生电容关系。利用多指状栅极结构减少单位面积栅极电阻值并分散寄生电容。通过测试电路测量反向恢复特性，分析电容充放电电流波形，计算寄生电容对反向恢复损耗的影响因子。基于测试数据建立优化模型，应用帕累托最优化方法构建参数决策空间，同时优化反向恢复损耗与导通电阻，解决了双向导通GaN功率器件反向恢复损耗过高的技术问题。

本发明授权一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗的方法，其特征在于，包括：建立双向导通氮化镓功率器件的精确电学模型，分析栅极漏极重叠区域产生的米勒电容值；设计多组栅极与漏极结构，控制栅极与漏极间隔距离参数，测量寄生电容值，计算必要重叠率与非必要重叠率比值；采用双场板结构技术形成电场分布优化区域，通过纳什均衡博弈模型分析场板长度与寄生电容之间的关系；利用扩展栅极结构技术，将栅极设计为多指状结构；构建测试电路测量器件反向恢复特性；分析电容充放电电流波形；建立反向恢复损耗优化模型；制备器件样品并验证优化结构的有效性；迭代优化并最终确定工艺参数，用于指导降低双向导通GaN功率器件反向恢复损耗；所述必要重叠率是指为了保证双向导通氮化镓功率器件的基本电气特性和可靠性，栅极与漏极之间必须保持的最小重叠面积与总重叠面积的比值，所述必要重叠率用于确定栅极漏极间距参数的下限值；所述非必要重叠率是指在不影响器件基本功能的前提下，通过优化设计减少的栅极与漏极之间的重叠面积与总重叠面积的比值，所述非必要重叠率用于确定栅极漏极间距参数的优化空间。

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