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龙图腾网获悉南昌航空大学申请的专利Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120365053B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510510424.0，技术领域涉及：C04B35/462；该发明授权Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用是由毛蒲;冯惠敏;刘智勇;谢兵;郭坤设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了SrCo共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用，属于陶瓷制备技术领域，解决了现有技术对CCTO单掺杂改性时，存在CCTO介电常数和介电损耗同时增大或减小的问题，包括对粉体原料进行一次球磨处理，球磨处理完毕后干燥，对前驱粉体进行预烧，对预烧粉体进行二次球磨处理，并对二次球磨处理后的预烧粉体干燥处理，得到陶瓷粉体，对陶瓷粉体进行压片成型，将生胚烧结得到SrCo共掺杂CCTO巨介电陶瓷材料；本发明利用Sr2+离子对Ca2+离子位点进行取代掺杂可以有效地增加晶界电阻和肖特基势垒高度，且能够增强介电弛豫特性，通过Co2+离子对Cu2+离子位点进行取代掺杂会在晶界处形成CaTiO3和Co2TiO4相，从而降低晶界电阻率和介电损耗，达到有效调控陶瓷的介电性能的效果。

本发明授权Sr/Co共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.SrCo共掺杂CCTO巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于，所述方法包括： S10，取制备共掺杂CCTO巨介电陶瓷所用粉体原料，粉体原料包括CaCO3粉体、CuO粉体、TiO2粉体、SrCO3粉体、CoO粉体，将CaCO3粉体、CuO粉体、TiO2粉体、SrCO3粉体、CoO粉体按照化学计量比进行配料后，加入酒精，对粉体原料进行一次球磨处理，球磨处理完毕后干燥，得到前驱粉体； 步骤S10中，所述粉体原料的粒径小于250nm，对粉体原料进行一次球磨处理时，一次球磨以氧化锆球为磨球，以无水乙醇为球磨介质，粉体原料与氧化锆球的质量比为1：2.5-3，无水乙醇与粉体原料的质量比为1：1.1-1.3，一次球磨转速为450-500rmin，一次球磨时间为12-24h； S20，取前驱粉体，对前驱粉体进行预烧，得到预烧粉体，备用； S30，获取预烧粉体，对预烧粉体进行二次球磨处理，并对二次球磨处理后的预烧粉体干燥处理，得到陶瓷粉体，备用； S40，取陶瓷粉体，对陶瓷粉体进行压片成型，得到生胚，备用； 步骤S40中，对陶瓷粉体进行压片成型时，压片成型方式采用第一成型方式或第二成型方式，其中，所述第二成型方式包括： 取陶瓷粉体，将所述陶瓷粉体与粘结剂混合后进行造粒，得到粉体颗粒； 将所得到的粉体颗粒进行压制成型或将所得到的粉体颗粒依次进行预压制成型和冷等静压； 当采用第二成型方式时，在烧结前还包括将所得生胚进行排胶，所述排胶的温度为500-550℃，保温时间为6-9h； S50，取生胚，将生胚烧结得到SrCo共掺杂CCTO巨介电陶瓷材料，所述SrCo共掺杂CCTO巨介电陶瓷材料的化学组成为Ca1-xSrxCu3-yCoyTi4O12，x为0.1，y为0.1。

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