买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司申请的专利一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120300598B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510468540.0，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器是由喻寿山设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器，包括InP增益芯片光波导，其左端面镀有光学高反射膜，右端面镀有第一光学增透膜；还包括铌酸锂波导，所述铌酸锂波导的左端面镀有第二光学增透膜，右端面镀有第三光学增透膜；所述铌酸锂波导上端面设置有铌酸锂薄膜布拉格光栅波导，所述铌酸锂薄膜布拉格光栅波导下方设置有SiO2层，所述SiO2层下方设置有Si衬底；所述InP增益芯片光波导的右端面与所述铌酸锂波导的左端面对准贴合，形成外腔结构；所述铌酸锂波导的上端面还设置有电压控制单元。本发明通过1‑3cm超长光栅和模式匹配优化，实现0.8kHz线宽、50nm调谐范围及M²＜1.2的光束质量，器件响应速度μs级的优势。

本发明授权一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器在权利要求书中公布了：1.一种高速可调波长的窄线宽外腔激光器，其特征在于，包括： InP增益芯片光波导1，发射波长1530-1630nm，其左端面镀有光学高反射膜12，右端面镀有第一光学增透膜13；所述InP增益芯片光波导1的底部设置有InP衬底11； 还包括铌酸锂波导2，长度Lwg=1-3cm，周期Λ=220-230nm，所述铌酸锂波导2的左端面镀有第二光学增透膜21，所述铌酸锂波导2的右端面镀有第三光学增透膜22；所述铌酸锂波导2上端面设置有铌酸锂薄膜布拉格光栅波导25，所述铌酸锂薄膜布拉格光栅波导25下方设置有SiO2层24，所述SiO2层24下方设置有Si衬底23； 所述InP增益芯片光波导1的右端面与所述铌酸锂波导2的左端面对准贴合，形成外腔结构，外腔总长度Lcavity=Lwg+Lchip；其中Lchip=500-1000μm； 所述铌酸锂波导2的上端面还设置有电压控制单元3，所述电压控制单元3包括金属电极+31和金属电极-32，所述金属电极+31和所述金属电极-32依次设置在所述铌酸锂薄膜布拉格光栅波导25的前后两侧； 所述铌酸锂波导2，长度Lwg=2cm，周期Λ=225nm； 所述高速可调波长的窄线宽外腔激光器线宽≤1kHz，波长调谐范围50nm-100nm； 所述高速可调波长的窄线宽外腔激光器的制作方法，具体步骤如下： S1、质子交换法制作铌酸锂波导2上的脊形波导，Δn=0.05，电子束光刻定义布拉格光栅，周期精度±1nm； S2、在铌酸锂波导2蒸镀CrAu电极，厚度200nm； S3、InP增益芯片光波导1与铌酸锂波导2对准贴合，精度±1μm，集成TEC温控模块，温度稳定性±0.01℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司，其通讯地址为：311215 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区B10-607室-7(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。