上海馨欧集成微电有限公司邵率获国家专利权
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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种声波谐振器装置及其形成方法、射频滤波器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120281286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510662838.5,技术领域涉及:H03H9/17;该发明授权一种声波谐振器装置及其形成方法、射频滤波器是由邵率设计研发完成,并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种声波谐振器装置及其形成方法、射频滤波器在说明书摘要公布了:本申请涉及一种声波谐振器装置及其形成方法、射频滤波器,声波谐振器装置包括:衬底层;位于衬底层上的牺牲层,牺牲层包括空腔;位于牺牲层上的压电薄膜层,压电薄膜层包括至少一个条状压电薄膜和位于每个条状压电薄膜两侧的刻蚀槽,刻蚀槽连通空腔;位于压电薄膜层下的底导体层,底导体层包括底汇流条和悬空于空腔中的至少一个底指条电极;位于压电薄膜层上的顶导体层,顶导体层包括顶汇流条、顶端子、底端子和至少一个顶指条电极;顶指条电极、底指条电极和条状压电薄膜一一对应。本申请实施例中,通过在装置中设置悬空的顶指条电极、条状压电薄膜和底指条电极,以支持垂直电场激励的双剪切体声波这一模态,使装置满足更高频率和更大带宽需求。
本发明授权一种声波谐振器装置及其形成方法、射频滤波器在权利要求书中公布了:1.一种声波谐振器装置,其特征在于,包括: 衬底层; 位于所述衬底层上的牺牲层;所述牺牲层包括至少一个空腔; 位于所述牺牲层上的压电薄膜层;所述压电薄膜层包括至少一个并列设置的条状压电薄膜和位于每个条状压电薄膜两侧的刻蚀槽;所述刻蚀槽连通空腔; 位于所述压电薄膜层下的底导体层;所述底导体层与条状压电薄膜接触;所述底导体层包括底汇流条和至少一个底指条电极,所述至少一个底指条电极连接所述底汇流条;底指条电极悬空于所述空腔中;所述底指条电极和所述条状压电薄膜一一对应; 位于所述压电薄膜层上的顶导体层;所述顶导体层与所述条状压电薄膜接触;所述顶导体层包括顶汇流条、顶端子、底端子和至少一个顶指条电极;所述顶汇流条的一端连接所述顶端子,另一端连接所述至少一个顶指条电极;所述底端子部分位于所述压电薄膜层中并接触所述底汇流条;顶指条电极和所述条状压电薄膜一一对应; 所述至少一个底指条电极及其对应的顶指条电极被配置为施加相应的射频信号而激发对应的条状压电薄膜中的双剪切体声波;所述双剪切体声波由水平剪切波和垂直剪切波耦合生成;所述双剪切体声波由垂直电场激励; 其中,所述顶端子和所述底端子为射频端子,用于被施加所述声波谐振器装置的目标模式对应的射频信号。
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