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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利In2O3纳米材料定向生长方法、装置、传感器及电子鼻获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120272877B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510782733.3，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权In2O3纳米材料定向生长方法、装置、传感器及电子鼻是由王海容;赵凡;张群明;孙金荣;王瑞浩;张成设计研发完成，并于2025-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本In2O3纳米材料定向生长方法、装置、传感器及电子鼻在说明书摘要公布了：一种In2O3纳米材料的定向生长方法、装置、传感器及电子鼻，方法中，制备有加热电极和测试电极的硅基底作为In2O3生长载体；以三甲基铟为铟气源，氧气为氧源，化学气相沉积在加热电极形成的微区热诱导下定向生长In2O3纳米材料。实现了晶圆上各个微区内气敏材料的高度一致，从而实现晶圆级传感器高一致性的加工。

本发明授权In2O3纳米材料定向生长方法、装置、传感器及电子鼻在权利要求书中公布了：1.一种In2O3纳米材料的定向生长方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，制备有加热电极和测试电极的硅基底作为In2O3生长载体，其中，步骤S11，硅基底预处理，硅基底依次放入丙酮、乙醇溶液中超声清洗；步骤S12，利用MEMS工艺在硅基底上形成至少一个MEMS微热板作为In2O3生长载体，所述MEMS微热板包括结构一致的多组加热电极与测试电极； 步骤S2，以三甲基铟为铟气源，氧气为氧源，化学气相沉积在加热电极形成的微区热诱导下定向生长In2O3纳米材料，其中，步骤S21，双温区反应炉的调控，将所述MEMS微热板安装在双温区反应炉的反应沉积区，关闭反应炉腔室，抽真空将反应炉腔室内压力抽至预定压力范围；步骤S22，In2O3纳米材料生长参数控制，调节三甲基铟蒸汽流量，使其由载气携带进入所述反应炉腔室，同时调节O2流量，将直流电源接入MEMS微热板的加热电极的正负极，根据加热电极电阻和目标加热温度，调节电流大小，使加热电极升温，在硅基底上形成微区热场，三甲基铟蒸汽与氧气在反应沉积区内的高温环境下发生化学反应，在硅基底的加热区域定向生长氧化铟纳米材料，由质量流量控制器控制三甲基铟蒸汽与O2流量，二者比例为5：1到40：1之间，In2O3纳米材料的生长时间为0.5-3h，高温环境为300-600℃。

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