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龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利铜/氮共掺型多级硅碳负极材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120164932B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510383840.9，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权铜/氮共掺型多级硅碳负极材料及其制备方法是由张跃;郑绪之;康卓;闫鑫设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本铜/氮共掺型多级硅碳负极材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种铜氮共掺型多级硅碳负极材料及其制备方法。其中，制备方法包括：将氧化亚硅粉末在惰性气氛中加热歧化，对歧化后的氧化亚硅进行酸性刻蚀，获得多孔硅结构；将石墨烯分散液和铜盐前驱体溶液混合，制备第一铜‑石墨烯网络结构，加入溶剂形成包含第一铜‑石墨烯网络结构的第一复合缓冲浆料；通过第一复合缓冲浆料，在多孔硅结构外形成第一铜‑石墨烯缓冲层；对第一铜‑石墨烯缓冲层进行改性处理，对改性处理后的第一铜‑石墨烯缓冲层进行氮掺杂聚多巴胺碳保护层的包覆处理，得到铜氮共掺型多级硅碳负极材料。该方法能显著提高能量密度、改善循环性能、增强倍率性能、延长电池寿命，实现高硅负载与循环性能的有效平衡。

本发明授权铜/氮共掺型多级硅碳负极材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种铜氮共掺型多级硅碳负极材料制备方法，其特征在于，包括： 将氧化亚硅粉末在惰性气氛中加热歧化，对歧化后的所述氧化亚硅进行酸性刻蚀，获得多孔硅结构； 将石墨烯分散液和铜盐前驱体溶液混合，制备第一铜-石墨烯网络结构，加入溶剂形成包含第一铜-石墨烯网络结构的第一复合缓冲浆料； 通过第一复合缓冲浆料，在所述多孔硅结构外形成第一铜-石墨烯缓冲层； 对所述第一铜-石墨烯缓冲层进行改性处理，对改性处理后的所述第一铜-石墨烯缓冲层进行氮掺杂聚多巴胺碳保护层的包覆处理，得到铜氮共掺型多级硅碳负极材料； 所述将氧化亚硅粉末在惰性气氛中加热歧化，包括： 将氧化亚硅粉末在惰性气氛中以5℃min-7℃min的速率升温至500℃-550℃并保温1-1.5小时，获得去除表面吸附物的氧化亚硅； 然后以3℃min-43℃min的速率升至900℃-950℃，保温2-2.5小时使氧化亚硅开始歧化； 最终以2℃min-2.5℃min的速率升至1100℃-1150℃，保温4-4.5小时。

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