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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利一种NAND闪存、存储器和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120148588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311706589.2，技术领域涉及：G11C16/12；该发明授权一种NAND闪存、存储器和电子设备是由张奇;李楠;祁广田;黄晨设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种NAND闪存、存储器和电子设备在说明书摘要公布了：一种NAND闪存、存储器和电子设备。NAND内存在同一面下同时读取多个页面的数据，可以让每个页面的饱和电流不相同和或读取每个页面的数据的时间不相同，使得各个页面记录的数据不同，读取电路的总电流不同，让放电电容CSO的电压下降的速度不相同。NAND闪存读取多个页面的数据时，可以利用电压比较单元检测放电电容CSO的电压与比较电压之间的关系，以准确地读取出各个页面记录的数据，避免读取的数据与页面之间出现混淆。

本发明授权一种NAND闪存、存储器和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种NAND闪存400,600,800，其特征在于，包括： 电压控制单元411,611,811，包括多个第一输出端口和多个第二输出端口，所述多个第一输出端口均用于输出第一电信号，所述多个第二输出端口均用于输出第二电信号； NAND阵列420,620,820，包括多个子块，每个子块包括多个页面，所述多个页面分别与所述多个第一输出端口电连接，用于在接收到所述第一电信号时，读取或写入数据； 异步单元430,630,830，电连接于所述多个第一输出端口与所述多个子块之间、或者电连接于所述多个子块的多个页面中的子块选择管的栅极和所述多个子块的多个页面中的双栅极MOS管的栅极，用于在同时读取多个页面的目标双栅极MOS管的数据时，让所述同时读取多个页面的目标双栅极MOS管的饱和电流不相同、和或让所述同时读取多个页面的各个页面的导通时间不相同； 多个放电电容CSO，所述多个放电电容的第一端分别电连接于所述多个第二输出端口，所述多个放电电容的第二端接地； 电压比较单元412,612,812，包括多个输入端口，所述多个输入端口分别电连接于所述多个第二输出端口，用于比较所述多个输入端口接收到的电压与比较电压的大小，并输出比较结果。

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