北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所刘文亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院;中国科学院微电子研究所申请的专利在垂直方向预设位置制造侧墙的器件及其制造工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129276B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311655646.9，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权在垂直方向预设位置制造侧墙的器件及其制造工艺是由刘文亮设计研发完成，并于2023-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本在垂直方向预设位置制造侧墙的器件及其制造工艺在说明书摘要公布了：公开了一种在垂直方向预设位置制造侧墙的器件及其制造工艺。根据实施例，半导体器件可以包括衬底上的第一构成器件和叠置在第一构成器件上的第二构成器件。第一构成器件和第二构成器件中的每一个包括：第一源漏层；第一源漏层上方的第二源漏层；从第一源漏层的侧壁上竖直地延伸到第二源漏层的侧壁上的沟道层；以及在沟道层的背对第一源漏层的侧壁和第二源漏层的侧壁的一侧上的栅堆叠。在第一构成器件的栅堆叠与第二沟道器件的栅堆叠之间，电介质层从第一构成器件的第二源漏层的侧壁上竖直地延伸到第二构成器件的第一源漏层的侧壁上。
本发明授权在垂直方向预设位置制造侧墙的器件及其制造工艺在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底上的第一构成器件和叠置在所述第一构成器件上的第二构成器件，其中，所述第一构成器件和所述第二构成器件中的每一个包括： 第一源漏层， 所述第一源漏层上方的第二源漏层， 从所述第一源漏层的侧壁上竖直地延伸到所述第二源漏层的侧壁上的沟道层，以及 在所述沟道层的背对所述第一源漏层的侧壁和所述第二源漏层的侧壁的一侧上的栅堆叠， 其中，在所述第一构成器件的栅堆叠与所述第二构成器件的栅堆叠之间，电介质层从所述第一构成器件的第二源漏层的侧壁上竖直地延伸到所述第二构成器件的第一源漏层的侧壁上， 其中，所述电介质层包括相对于周围的层间电介质层具有刻蚀选择性的材料，且进一步包括介于所述第一构成器件的第二源漏层与所述第二构成器件的第一源漏层之间的部分。
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