长鑫科技集团股份有限公司胡洋获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120111883B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510259590.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由胡洋;刘国全;吴小鹏;吕晖;汤政涛;钱红云设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，该衬底具有器件区、第一隔离区以及第二隔离区，第二隔离区设置在器件区与第一隔离区之间；第二隔离区还设置有第一半导体材料区，第一半导体材料区邻近第一隔离区设置。本公开实施例提供的半导体结构通过在邻近器件区的隔离区之中保留部分半导体材料区，补偿器件区和隔离区之间因为图案密度差异导致的尺寸差异，获得具有更高良率的半导体结构。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 衬底，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对设置的第二表面，所述衬底具有器件区； 第一隔离区，所述第一隔离区沿着所述第一表面向所述第二表面延伸； 第二隔离区，所述第二隔离区设置在所述器件区与所述第一隔离区之间； 所述第二隔离区还设置有第一半导体材料区，所述第一半导体材料区邻近所述第一隔离区设置，在邻近所述第一表面的方向上，所述第一半导体材料区的表面低于所述第一隔离区的表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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