重庆芯联微电子有限公司林义栩获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120085512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510433244.7,技术领域涉及:G03F1/70;该发明授权掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法是由林义栩;冯乐;陈咏翔;曾鼎程;范富杰;胡展源设计研发完成,并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种掩模版版图优化方法、金属层制作方法,属于半导体领域。该掩模版版图优化方法包括获取初始版图和所述初始版图中所有图形的设计参数;沿第一方向,在每一所述图形稀疏区域中,将位于边缘位置的稀疏图形靠近所述空旷区域的一侧添加虚拟图形,所述虚拟图形沿所述第二方向分布;将所述虚拟图形的宽度向所述空旷区域所在区域加宽处理,获取目标版图。本发明通过在稀疏图形靠近空旷区域的一侧添加虚拟图形,使得稀疏图形转变成密集图形,从而使得在光刻时,原本用于金属层互连的稀疏图形保持原来的设计参数,不需要将原来有的稀疏图形进行加宽处理,从而能够保证器件上的电性不受影响。
本发明授权掩膜版及其版图优化方法、金属层制作方法在权利要求书中公布了:1.一种掩模版版图优化方法,其特征在于,包括: 获取初始版图和所述初始版图中所有图形的设计参数,所述初始版图包括若干图形稀疏区域和空旷区域,所述空旷区域位于所述图形稀疏区域的外围,每一所述图形稀疏区域均设置有若干稀疏图形,若干所述稀疏图形沿第一方向分布; 基于所述初始版图中图形的设计参数,筛选出所述图形稀疏区域; 沿第一方向,在每一所述图形稀疏区域中,将位于边缘位置的稀疏图形靠近所述空旷区域的一侧添加虚拟图形,所述虚拟图形的长度沿第二方向分布; 将所述虚拟图形的宽度向所述空旷区域所在区域加宽处理,获取目标版图。
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