北京智芯微电子科技有限公司余山获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035178B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510341313.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片是由余山;陈燕宁;刘芳;吴波;邓永峰;沈美根;郝幸雨设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，栅极结构形成于体区及漂移区的上方，栅极结构包括从下至上依次层叠的多晶硅栅极、绝缘介质层及多晶硅电阻；源区连接源极金属层，漏区连接漏极金属层；多晶硅电阻通过第一接触端与源极金属层连接，体区通过第二接触端与源极金属层连接；多晶硅栅极的侧面设有氮化硅侧墙，氮化硅侧墙与漏极金属层相接，多晶硅栅极、氮化硅侧墙及漏极金属层构成电容结构。本发明的多晶硅电阻与电容结构并联连接，形成为等效于RC型ESD保护电路的高压ESD器件，缩小器件的面积，提高器件的高压保护能力。
本发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种LDMOSFET结构的ESD器件，包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，其特征在于，所述体区及漂移区形成于所述衬底中，所述源区形成于所述体区的表面，所述漏区形成于所述漂移区的表面，所述栅极结构形成于所述体区及漂移区的上方； 所述栅极结构包括从下至上依次层叠的多晶硅栅极、绝缘介质层及多晶硅电阻； 所述源区连接源极金属层，所述漏区连接漏极金属层； 所述多晶硅电阻通过第一接触端与所述源极金属层连接，所述体区通过第二接触端与所述源极金属层连接； 所述多晶硅栅极的侧面设有氮化硅侧墙，所述氮化硅侧墙与所述漏极金属层相接，所述多晶硅栅极、氮化硅侧墙及漏极金属层构成电容结构。
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