北京智芯微电子科技有限公司余山获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510341309.5，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片是由余山;陈燕宁;刘芳;吴波;邓永峰;沈美根;李君建设计研发完成，并于2025-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，体区形成于漂移区的上表面，栅极结构形成于体区内；源区连接源极金属层，漏区连接漏极金属层；栅极结构包括栅氧化层、多晶硅栅极及多晶硅电阻，多晶硅栅极及多晶硅电阻通过栅氧化层与体区连接；多晶硅电阻与源极金属层连接，体区与源极金属层连接；多晶硅栅极通过隔离氧化层与漏极金属层相接，多晶硅栅极、隔离氧化层及漏极金属层构成电容结构。本发明为等效于RC型ESD保护电路的高压ESD器件，无需在MOS器件外部增加电阻和电容，缩小了器件的面积，提高了器件的高压保护能力。
本发明授权LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种LDMOSFET结构的ESD器件，包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，其特征在于，所述漂移区形成于所述衬底的表面，所述体区形成于所述漂移区的上表面，所述源区形成于所述体区的上表面，所述漏区形成于所述漂移区的下表面，所述栅极结构形成于所述体区内； 所述源区连接源极金属层，所述源极金属层接地； 所述漏区连接漏极金属层，所述漏极金属层作为输入端； 所述栅极结构包括栅氧化层、多晶硅栅极及多晶硅电阻，所述多晶硅栅极及多晶硅电阻通过所述栅氧化层与所述体区连接； 所述多晶硅电阻与所述源极金属层连接，所述体区与所述源极金属层连接； 所述多晶硅栅极通过隔离氧化层与所述漏极金属层相接，所述多晶硅栅极、隔离氧化层及漏极金属层构成电容结构。
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