长鑫科技集团股份有限公司张家瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311543651.0，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器是由张家瑞设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器，该存储芯片的有源面的中心点及其临近区域被定义为全局信号区域；全局信号区域被n个导电通孔组贯穿，每一导电通孔组均包括第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔和第四导电通孔；对于同一导电通孔组，第一导电通孔和第二导电通孔关于第一轴线对称，第三导电通孔和第四导电通孔关于第一轴线对称，第一导电通孔和第四导电通孔关于第二轴线对称。
本发明授权一种存储芯片、逻辑芯片、芯片堆叠结构和存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片，其特征在于，所述存储芯片的有源面的中心点及其临近区域被定义为全局信号区域，且所述全局信号区域的中心点与所述有源面的中心点重合； 所述全局信号区域被n个导电通孔组贯穿，n为正整数，每一所述导电通孔组均包括第一导电通孔、第二导电通孔、第三导电通孔和第四导电通孔； 对于同一所述导电通孔组，所述第一导电通孔和所述第二导电通孔关于第一轴线对称，所述第三导电通孔和所述第四导电通孔关于所述第一轴线对称，所述第一导电通孔和所述第四导电通孔关于第二轴线对称； 其中，所述第一轴线和所述第二轴线互相垂直且相交于所述有源面的中心点，所述第一轴线与所述存储芯片的第一侧边平行，所述第二轴线与所述存储芯片的第二侧边平行。
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