沈阳工业大学李明春获国家专利权
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龙图腾网获悉沈阳工业大学申请的专利一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119976939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411926463.0，技术领域涉及：C01G19/00；该发明授权一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料及其制备方法是由李明春;王玉柯;沈存粮;李来时;吴玉胜设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料及其制备方法，ZnSnO3为阿基米德体颗粒，阿基米德体的多维表面中每个三角形面周围有三个四边形面，每个四边形面均与三角形面共边，In2O3纳米粒子均匀生长在ZnSnO3阿基米德体颗粒的多维表面上，形成均匀分布的In2O3粒子复合层。方法如下：将草酸锌溶入去离子水，加入氯化锡，加入氢氧化钠颗粒，硝酸铟溶液滴入，水热反应后离心，洗涤并干燥，最后煅烧。ZnSnO3In2O3复合材料在空气中的基电阻更高，对乙二醇气体和三乙胺气体的灵敏度高，且工作温度低。本发明制备成本低廉，具有良好的工业应用前景。
本发明授权一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ZnSnO3表面生长In2O3层的低温气敏材料，其特征在于：ZnSnO3为阿基米德体颗粒，其粒径范围在500-900nm，阿基米德体的多维表面中每个三角形面周围有三个四边形面，每个四边形面均与三角形面共边，每个边的边长范围为300-700nm；粒径范围在5-50nm的In2O3粒子生长在ZnSnO3阿基米德体颗粒的多维表面上，形成均匀分布的In2O3粒子复合层。
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