隆基绿能科技股份有限公司童洪波获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉隆基绿能科技股份有限公司申请的专利一种太阳能电池片以及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510088946.6，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种太阳能电池片以及光伏组件是由童洪波;张洪超;卞春龙;陈宇;席晓丽设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种太阳能电池片以及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请公开一种太阳能电池片以及光伏组件，太阳能电池包括半导体基底、第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层；第一掺杂半导体层具有第一区域和第二区域，所述第一区域的第一元素的掺杂浓度为Ca1，第二区域的第一元素的掺杂浓度为Ca2，Ca2＞Ca1；第二掺杂半导体层具有第三区域和第四区域，第三区域的第二元素的掺杂浓度为Cb1，第四区域的第二元素的掺杂浓度为Cb2，Cb2＞Cb1；并且，Ca2＞Cb2。使得第一掺杂半导体层的第二区域的导电率与第二掺杂半导体层的第四区域的导电率更加接近，从而降低第一电极和第一掺杂半导体层之间与第二电极和第二掺杂半导体层之间的电流差异性，降低电池的电流损失，保证了电池的性能。
本发明授权一种太阳能电池片以及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 半导体基底； 第一掺杂半导体层，设于所述半导体基底表面且掺杂有第一元素； 第二掺杂半导体层，设于所述半导体基底表面且掺杂有第二元素，所述第二掺杂半导体层与所述第一掺杂半导体层的导电类型相反； 其中，所述第一掺杂半导体层具有第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域沿平行于所述半导体基底表面的方向排布；所述第一区域的第一元素的掺杂浓度为Ca1，所述第二区域的第一元素的掺杂浓度为Ca2，Ca2＞Ca1； 所述第二掺杂半导体层具有第三区域和第四区域，所述第三区域和第四区域沿平行于所述半导体基底表面的方向排布；所述第三区域的第二元素的掺杂浓度为Cb1，所述第四区域的第二元素的掺杂浓度为Cb2，Cb2＞Cb1； 并且，Ca2＞Cb2。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人隆基绿能科技股份有限公司，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区航天中路388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励