苏州龙驰半导体科技有限公司彭地森获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510104108.3，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管是由彭地森设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管在说明书摘要公布了：本申请提供了一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管包括元胞，元胞在横向第二方向划分为交替设置的VCGJFET区和MOSFET区；在横向第一方向，MOSFET区具有依次相邻设置的第一掺杂类型的MOSFET区漏区、第二掺杂类型的MOSFET区沟道区、第一掺杂类型的MOSFET区源区；VCGJFET区具有第一掺杂类型的顶栅；在横向第二方向，顶栅和所述MOSFET区漏区交替相邻连接设置；其中，所述顶栅、所述MOSFET区漏区、MOSFET区沟道区、MOSFET区源区连接。本申请解决了传统垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管顶栅中的载流子浓度增加且无泄放路径的技术问题。
本发明授权一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管，其特征在于，包括元胞，元胞在横向第二方向划分为交替设置的VCGJFET区100和MOSFET区200； 在横向第一方向，所述MOSFET区200具有依次相邻设置的第一掺杂类型的MOSFET区漏区82、第二掺杂类型的MOSFET区沟道区6、第一掺杂类型的MOSFET区源区42； 所述VCGJFET区100具有第一掺杂类型的顶栅81；在横向第二方向，所述顶栅81和所述MOSFET区漏区82交替相邻连接设置； 其中，所述顶栅81、所述MOSFET区漏区82、MOSFET区沟道区6、MOSFET区源区42连接； 与垂直型电容耦合栅控结型场效应晶体管的厚度方向相垂直的面为横向方向，第一掺杂类型的MOSFET区漏区82、第二掺杂类型的MOSFET区沟道区6、接地的第一掺杂类型的MOSFET区源区42依次排列的方向为横向第一方向，与横向第一方向相垂直的方向为横向第二方向。
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