苏州龙驰半导体科技有限公司吴同飞获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州龙驰半导体科技有限公司申请的专利一种VDMOS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510072405.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种VDMOS器件是由吴同飞设计研发完成，并于2025-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种VDMOS器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种VDMOS器件，包括元胞，元胞包括：衬底和设置在衬底背侧的漏极；外延层，位于衬底之上；两个源极，间隔设置在外延层内，源极接地；沟道区，形成在源极之下，沟道区接地；栅介质层，形成外延层之上，覆盖两个源极之间的部分且分别和两个源极部分交叠；组合栅，形成在栅介质层之上，覆盖两个源极之间的部分且分别和两个源极部分交叠，组合栅包括自上而下设置的第一栅极、组合栅隔离层、浮栅；第一栅极、组合栅隔离层和浮栅形成第一电容，浮栅、栅介质层、沟道区形成第二电容；栅极电压被第一电容和第二电容分压使得浮栅的电势低于栅极电压。本申请实施例提解决了传统的SiC衬底的VDMOS的短路耐量偏低的技术问题。
本发明授权一种VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种VDMOS器件，其特征在于，包括元胞，所述元胞包括： 衬底13和设置在所述衬底13背侧的漏极； 外延层12，位于所述衬底13之上； 两个源极15，间隔设置在所述外延层12内，所述源极15接地； 沟道区14，形成在源极15之下，所述沟道区接地； 栅介质层4，形成所述外延层12之上，覆盖两个所述源极之间的部分且分别和两个所述源极部分交叠； 组合栅，形成在栅介质层4之上，覆盖两个所述源极之间的部分且分别和两个所述源极部分交叠，所述组合栅包括自上而下设置的第一栅极1、组合栅隔离层3、浮栅2； 其中，所述组合栅隔离层3将所述第一栅极1和所述浮栅2隔离开，使得所述第一栅极1、组合栅隔离层3和所述浮栅2形成第一电容，所述浮栅2、栅介质层4、沟道区14形成第二电容；外部的栅极电压被第一电容和第二电容分压使得所述浮栅2的电势低于栅极电压，且所述浮栅2的电势控制沟道区14的开启和关断。
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