北京工业大学吴郁获国家专利权
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龙图腾网获悉北京工业大学申请的专利MOS结势垒肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947140B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510065050.6，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权MOS结势垒肖特基二极管是由吴郁;雷婧;刘梦;宋金辉;周新田;王智勇设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本MOS结势垒肖特基二极管在说明书摘要公布了：MOS结势垒肖特基二极管涉及功率半导体器件技术领域。N型衬底、N型外延层、深P区、槽栅、槽栅氧化层、导电增强区及隔离氧化层设置在阴极金属与阳极金属之间，所述N型衬底下表面与阴极金属接触,上表面与N型外延层的下表面接触，N型外延层的上表面部分与P区接触，导电增强区设置在槽栅氧化层的外表面并与N型外延层接触，部分所述槽栅氧化层、导电增强区、隔离氧化层及部分深P区分别与部分阳极金属接触。本发明的MOS结势垒肖特基二极管结构通过在传统结势垒肖特基JBS二极管相邻P区中插入一个槽栅MOS结构，提高了沟道处载流子密度，降低了沟道电阻，反向漏电特性和正向压降都得到了进一步改善。
本发明授权MOS结势垒肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种MOS结势垒肖特基二极管，其特征在于：所述MOS结势垒肖特基二极管结构包括阴极金属1、阳极金属11、N型衬底2、N型外延层3、深P区4、槽栅5、槽栅氧化层6、导电增强区7、隔离氧化层8、肖特基接触9及欧姆接触10，所述N型衬底2、N型外延层3、深P区4、槽栅5、槽栅氧化层6、导电增强区7及隔离氧化层8设置在阴极金属1与阳极金属11之间，所述N型衬底2下表面与阴极金属1接触，上表面与N型外延层3的下表面接触，N型外延层3的上表面部分与深P区4接触，所述导电增强区7设置在槽栅氧化层6的外表面并与N型外延层3接触，槽栅氧化层6呈包围结构，其内表面与槽栅5接触，所述隔离氧化层8设置在槽栅5上表面，部分所述槽栅氧化层6、导电增强区7、隔离氧化层8及部分深P区4分别与部分阳极金属11接触。
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