中国科学院微电子研究所邢国忠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利磁隧道结和磁存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907619B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411994554.8，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁隧道结和磁存储器是由邢国忠;王迪;刘龙;张一帆;李愚;赵之昊;罗庆;李泠设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁隧道结和磁存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种磁隧道结和磁存储器，该磁隧道结包括依次层叠设置的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层；还包括至少一层磁性层，至少一层磁性层包括第一自旋极化增强层和或第二自旋极化增强层，第一自旋极化增强层位于自旋轨道耦合层与自由层之间，第一自旋极化增强层的磁化方向与自由层的磁化方向相同；第二自旋极化增强层位于参考层与钉扎层之间，第二自旋极化增强层的磁化方向与参考层的磁化方向相同。本申请提供的磁隧道结隧穿磁电阻率得以提高。
本发明授权磁隧道结和磁存储器在权利要求书中公布了：1.一种磁隧道结，其特征在于，包括依次层叠设置的自旋轨道耦合层、自由层、势垒层、参考层和钉扎层；还包括至少一层磁性层，至少一层所述磁性层包括： 第一自旋极化增强层，位于所述自旋轨道耦合层与所述自由层之间，所述第一自旋极化增强层的磁化方向与所述自由层的磁化方向相同； 第二自旋极化增强层，位于所述参考层与所述钉扎层之间，所述第二自旋极化增强层的磁化方向与所述参考层的磁化方向相同； 所述第一自旋极化增强层、所述第二自旋极化增强层的材质包括钴铁硅合金、钴铁硅铝合金、镍钴氧化物、镍锰锑合金、铂锰锑合金、镍铬硅合金、钯铬硅合金、镧锰氧化物、砷锰氧化物、砷化铬中的至少一者。
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