中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院光电技术研究所申请的专利掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510226404.0，技术领域涉及：G03F1/58；该发明授权掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法是由罗先刚;高平;程官于行;赵博文;张涛;郑博明;赵泽宇;王长涛设计研发完成，并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法，涉及光刻技术领域，掩模版吸收层制备方法包括：获得掩模基片；在掩模基片表面制备过渡膜层，在过渡膜层表面制备实际吸收层；其中，过渡膜层用于抵消实际吸收层对掩模基片表面的应力，以控制掩模基片表面的形变量和或面形PV。
本发明授权掩模版吸收层制备方法、掩模版及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模版吸收层制备方法，其特征在于，包括： 获得掩模基片； 在所述掩模基片表面制备过渡膜层，在所述过渡膜层表面制备实际吸收层；其中，所述过渡膜层用于抵消所述实际吸收层对所述掩模基片表面的应力，以控制所述掩模基片表面的形变量和或面形PV； 其中，在所述掩模基片表面制备过渡膜层包括： 从各种类型的预定吸收层中确定所述实际吸收层以及所述实际吸收层对所述掩模基片表面的第一应力类型；基于所述第一应力类型获取所述实际吸收层所需过渡膜层的第二应力类型，作为目标应力类型； 在所述掩模基片表面制备应力类型为所述目标应力类型的过渡膜层； 其中，所述预定吸收层对所述掩模基片表面的第一应力类型与所述预定吸收层所需过渡膜层的第二应力类型相反。
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