中国科学院微电子研究所马海力获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利铪基铁电器件及其性能调控方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119866173B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510021647.0,技术领域涉及:H10N70/00;该发明授权铪基铁电器件及其性能调控方法是由马海力;李博;陆芃;王磊;张栋;胡征涛设计研发完成,并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本铪基铁电器件及其性能调控方法在说明书摘要公布了:本公开提供了一种铪基铁电器件及性能调控方法,可以应用于铁电薄膜改性技术领域。该器件包括:衬底层;位于衬底层上的底电极层;位于底电极层上的铪基铁电薄膜;位于铪基铁电薄膜上的铁电诱导层;位于铁电诱导层上的顶电极层;其中,铪基铁电薄膜的剩余极化强度参数是在未形成顶电极层的情况下通过使用粒子束辐照调节得以改进的;铁电诱导层用于在未形成顶电极层的情况下诱导铪基铁电薄膜产生铁电性,从而便于在未形成顶电极层的情况下,使用粒子束调节剩余极化强度参数。
本发明授权铪基铁电器件及其性能调控方法在权利要求书中公布了:1.一种经辐照粒子改性的铪基铁电器件,包括: 衬底层; 位于衬底层上的底电极层; 位于所述底电极层上的铪基铁电薄膜; 位于所述铪基铁电薄膜上的铁电诱导层; 位于所述铁电诱导层上的顶电极层; 其中,所述铪基铁电薄膜的剩余极化强度参数是在未形成所述顶电极层的情况下通过使用粒子束辐照调节得以改进的;所述铁电诱导层用于在未形成所述顶电极层的情况下诱导所述铪基铁电薄膜产生铁电性,从而便于在未形成所述顶电极层的情况下,使用所述粒子束调节所述剩余极化强度参数。
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