西安隆基乐叶光伏科技有限公司杨亚娣获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411799830.5，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件是由杨亚娣;马苗苗;李大伟;赵赞良;平飞林设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底包括：相对的第一表面和第二表面；第一表面包括：沿第一方向上交替设置的第一导电区和第二导电区；第一导电区具有向硅基底内凹入的第一凹坑区；第一凹坑区包括：若干第一凹坑；在第二方向上，相邻的第一凹坑之间均具有间隔；掺杂层，位于第一表面上。本申请至少实现了硅基底对光的吸收效率、掺杂层与集电栅线的接触性能，以及钝化性能的优化平衡，提升了背接触太阳能电池的效率。
本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底，所述硅基底包括：相对的第一表面和第二表面；所述第一表面包括：沿第一方向上交替设置的第一导电区和第二导电区； 所述第一导电区具有向所述硅基底内凹入的第一凹坑区；所述第一凹坑区包括：若干第一凹坑； 在第二方向上，相邻的所述第一凹坑区之间具有间隔；所述第二方向异于所述第一方向，且均与所述硅基底的厚度所在的方向垂直； 掺杂层，所述掺杂层覆盖所述第一表面；所述掺杂层包括第一掺杂多晶硅层和第二掺杂多晶硅层；所述第一掺杂多晶硅层覆盖所述第一导电区，所述第二掺杂多晶硅层覆盖所述第二导电区；第一隧穿层，位于所述第一导电区和所述第一掺杂多晶硅层之间，第二隧穿层，位于所述第二导电区和所述第二掺杂多晶硅层之间； 若干集电栅线，与所述掺杂层电性接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安隆基乐叶光伏科技有限公司，其通讯地址为：710000 陕西省西安市长安区国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励