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龙图腾网获悉上海韦尔半导体股份有限公司申请的专利共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815857B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411921564.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件是由诸舜杰;董建新设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件在说明书摘要公布了：本申请提供共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件，通过在晶圆正面和背面形成完成对称的结构，解决了现有工艺存在的问题，生产出性能卓越、面积更小、可封装性更强的共漏极双MOSFET晶圆。

本发明授权共漏极双MOSFET器件的制备工艺及共漏极双MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种共漏极双MOSFET器件的制备工艺，其特征在于，包括： 在晶圆正面进行光刻，得到多个设置在所述晶圆正面的第一沟槽； 在晶圆背面进行光刻，得到多个设置在所述晶圆背面的第二沟槽，且所述第二沟通与第一沟槽一一对应设置； 在所述晶圆正面和背面生长牺牲氧化层，随后刻蚀去除所述牺牲氧化层； 在所述第一沟槽和第二沟槽中生长栅氧化层； 在所述第一沟槽和第二沟槽中沉积栅极多晶硅； 在所述晶圆正面和背面分别形成阱区和注入区，所述晶圆正面的注入区设置在所述晶圆正面的阱区中，部分所述第一沟槽只贯穿在所述晶圆正面的阱区，另一部分所述第一沟槽依次贯穿所述晶圆正面的注入区和所述晶圆正面的阱区；所述晶圆背面的注入区设置在所述晶圆背面的阱区中，部分所述第二沟槽只贯穿所述晶圆背面的阱区，另一部分所述第二沟槽依次贯穿所述晶圆背面的注入区和所述晶圆背面的阱区；且所述晶圆正面的阱区和所述晶圆背面的阱区位置对应设置，所述晶圆正面的注入区和所述晶圆背面的注入区位置对应设置； 在所述晶圆正面和背面沉积介质层； 在所述晶圆正面的部分第一沟槽中和所述晶圆背面的部分第二沟槽中均分别设置第一接触孔和第二接触孔，在另一部分所述第一沟槽之间设置第三接触孔，所述第三接触孔贯穿所述晶圆正面的介质层和注入区延伸至述晶圆正面的阱区中，在另一部分所述第二沟槽之间设置第四接触孔，所述第四接触孔贯穿所述晶圆背面的介质层和注入区延伸至述晶圆背面的阱区中； 在所述第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔和第四接触孔中均填充导电金属； 在所述第一接触孔、第二接触孔、第三接触孔和第四接触孔上表面分别沉积第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，所述第一金属层和第三金属层间隔设置，所述第二金属层和第四金属层间隔设置。

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