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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利嵌入式SiGe外延的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767719B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411914198.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权嵌入式SiGe外延的制备方法是由梁欢;郑印呈设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本嵌入式SiGe外延的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种嵌入式SiGe外延的制备方法，通过先在凹槽中沿外延生长方向生长浓度呈阶梯式增长分布且低浓度Ge的SiGe外延缓冲层，以有效降低硅衬底与SiGe外延缓冲层之间的晶格失配，以为后续材料层的沉积提供优良的沉积基础；另外，采用外延生长步骤结合冲洗步骤进行循环的方式，得到所需厚度的第一SiGe外延籽晶层，可形成薄膜质量优异的第一SiGe外延籽晶层同时在非凹槽区域的非必要微小颗粒也得到有效去除，减少甚至抑制肩部缺陷；最后，第二SiGe外延籽晶层作为沟道的应力层的另一部分使用，在形成第二SiGe外延籽晶层后，再进行一次冲洗时间不超过5秒的盐酸冲洗，达到进一步减少非凹槽区域的非必要微小颗粒再生。

本发明授权嵌入式SiGe外延的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式SiGe外延的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： S1、提供硅衬底，所述硅衬底上形成有半导体器件的栅极结构，所述硅衬底表面及所述栅极结构表面覆盖有刻蚀阻挡层； S2、基于所述刻蚀阻挡层对所述栅极结构两侧的所述硅衬底进行刻蚀形成凹槽； S3、于所述凹槽中填充P型掺杂的嵌入式外延层，包括如下步骤： S31、进行选择性外延生长在所述凹槽的内侧表面形成P型掺杂的SiGe外延缓冲层；其中，所述SiGe外延缓冲层沿生长方向Ge的浓度呈阶梯式增长的分布方式，且Ge的浓度范围为10at%~30at%； S32、在所述SiGe外延缓冲层表面形成P型掺杂的第一SiGe外延籽晶层；其中，所述第一SiGe外延籽晶层沿生长方向Ge的浓度呈阶梯式增长的分布方式，且Ge的浓度范围为30at%~50at%，所述第一SiGe外延籽晶层的上表面不高于所述栅极结构的下表面； 形成所述第一SiGe外延籽晶层的方法为：外延生长步骤，选择性外延生长P型掺杂的第一SiGe外延籽晶子层，所述第一SiGe外延籽晶子层的厚度为40Å~100Å；冲洗步骤，采用盐酸对所述第一SiGe外延籽晶子层进行冲洗，冲洗时间不超过5秒；以所述外延生长步骤及所述冲洗步骤为循环单元循环多次直至达到所需厚度的所述第一SiGe外延籽晶层； S33、进行选择性外延生长在所述第一SiGe外延籽晶层表面形成P型掺杂的第二SiGe外延籽晶层；其中，所述第二SiGe外延籽晶层沿生长方向Ge的浓度呈阶梯式降低的分布方式，且Ge的浓度范围为20at%~50at%，所述第二SiGe外延籽晶层的上表面不低于所述栅极结构的下表面； S34、采用盐酸对所述第二SiGe外延籽晶层进行冲洗，冲洗时间不超过5秒； S35、进行选择性外延生长在所述第二SiGe外延籽晶层表面形成P型掺杂的硅盖帽层。

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