浙江工业大学黄辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510005738.5，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料及其制备方法和应用是由黄辉;陈天生;张俊;甘永平;贺馨平;方如意;夏阳;夏新辉;张文魁设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于锂离子电池负极材料技术领域，公开了一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料及其制备方法和应用。所述方法是以低温的氢气热还原二氧化锗制备多孔锗p‑Ge，再经正硅酸四乙酯水解制备二氧化硅微球并嵌入填充p‑Ge的孔洞，最后经碳包覆得到高性能锗基负极材料。本发明的制备过程环保低污染，生产效率较高，合成过程可控，制备得到的高性能锗基负极材料作为锂离子电池负极材料具有导电性好、循环稳定性好、倍率性能优异的特点。
本发明授权一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳包覆和二氧化硅嵌入多孔锗的高性能锗基负极材料的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤： S1、将二氧化锗粉末在氢气气氛下进行低温热还原反应，得到多孔锗材料p-Ge材料，热还原条件为400℃下热还原8h以上； S2、将p-Ge加入无水乙醇和去离子水的混合溶液中，再加入表面活性剂和正硅酸四乙酯并搅拌均匀，在碱性条件下反应；步骤S2中p-Ge、表面活性剂质量比应为20:0.1～2，去离子水和正硅酸四乙酯的体积比应为20：0.1～2，所述步骤S2中p-Ge和正硅酸四乙酯的投料量为0.2g：0.25～1mL，碱性条件为pH不低于8，反应时间不低于18h； S3、将上述反应产物进行碳包覆，获得高性能锗基负极材料。
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