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龙图腾网获悉杭州富加镓业科技有限公司申请的专利一种氧化镓基功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743988B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411831558.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氧化镓基功率器件及其制备方法是由齐红基;陈端阳;李小丽设计研发完成，并于2024-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓基功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种氧化镓基功率器件及其制备方法，涉及半导体器件领域，器件包括从下至上依次层叠设置的阴极层、n型氧化镓衬底和n型氧化镓外延层；还包括：依次间隔设置在n型氧化镓外延层上并分别与其形成PN结的p型半导体层、第一场限环和第二场限环；位于n型氧化镓外延层、第二场限环和第一场限环以及p型半导体层上的第一介质层；位于p型半导体层和第一介质层上的第一阳极层；在水平方向上，第一阳极层远离p型半导体层的一端端部在n型氧化镓外延层上的投影位于第一场限环在n型氧化镓外延层上的投影中；位于第一介质层和第一场板上的第二介质层；位于第一阳极层和第二介质上的第二阳极层。该器件具有较高的击穿电压，较好的耐压性能。

本发明授权一种氧化镓基功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓基功率器件，其特征在于，所述氧化镓基功率器件包括从下至上依次层叠设置的阴极层、n型氧化镓衬底和n型氧化镓外延层； 所述氧化镓基功率器件还包括： p型半导体层、第二场限环以及位于所述p型半导体层与所述第二场限环之间的第一场限环，所述p型半导体层、第一场限环和第二场限环间隔设置在所述n型氧化镓外延层上，并分别与所述n型氧化镓外延层形成PN结； 第一介质层，连续位于所述n型氧化镓外延层的表面上、第二场限环的表面上、第一场限环的表面上以及p型半导体层的部分表面上； 第一阳极层，连续位于所述p型半导体层的表面上和第一介质层的部分表面上，所述第一阳极层位于所述第一介质层部分表面上的部分即为第一场板；在水平方向上，所述第一场板远离所述p型半导体层的一端的端部在所述n型氧化镓外延层上的投影位于所述第一场限环在所述n型氧化镓外延层上的投影中； 第二介质层，连续位于所述第一介质层的表面上和第一场板的部分表面上； 第二阳极层，连续位于所述第一阳极层的表面上和第二介质层的部分表面上； 所述第二阳极层位于所述第二介质层部分表面上的部分即为第二场板；在水平方向上，所述第二场板远离所述p型半导体层的一端的端部在所述n型氧化镓外延层上的投影位于所述第二场限环在所述n型氧化镓外延层上的投影中。

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