深圳新声半导体有限公司梁骥获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳新声半导体有限公司申请的专利一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743115B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510131458.9，技术领域涉及：H03H9/54；该发明授权一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法是由梁骥;冯端;邹洁设计研发完成，并于2025-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法。涉及滤波技术领域。其中，半导体射频滤波器包括作为载体的第一衬底、位于第一衬底上的体声波谐振器以及立体电感结构，立体电感结构包括第二衬底和布置于第二衬底内的立体电感，并且第二衬底复用为体声波谐振器的盖板。从而，无需为体声波谐振器增设额外的衬底作为盖板，而是直接将立体电感的载体即，第二衬底用作体声波谐振器的保护盖板，消除了对额外盖板结构的需求，简化了半导体射频滤波器的层结构，使其更为紧凑，推动了半导体射频滤波器小型化进程。进而解决了现有技术中存在的集成了体声波谐振器与电感的半导体射频滤波器在小型化方面所面临的问题。
本发明授权一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种采用立体电感结构的半导体射频滤波器，包括作为载体的第一衬底以及位于所述第一衬底上的体声波谐振器；其特征在于，还包括： 立体电感结构，所述立体电感结构包括第二衬底和嵌入所述第二衬底内部的立体电感；其中，所述第二衬底设置于所述体声波谐振器远离所述第一衬底的一侧，并复用为所述体声波谐振器的盖板；所述立体电感包括第一立体电感； 位于所述第二衬底靠近所述体声波谐振器的压电层一侧的第一介质层； 位于所述第一介质层远离所述第二衬底一侧的第三电极； 位于所述第一介质层远离所述第二衬底一侧并覆盖所述第三电极的第二介质层；以及 第四电极，所述第四电极的一部分贯穿所述第二介质层和所述第一介质层与所述第一立体电感电连接，另一部分延伸至覆盖所述第二介质层远离所述第二衬底一侧的表面； 其中，所述第三电极、所述第二介质层和所述第四电极构成第一电容。
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