中国航天科技创新研究院杨昌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国航天科技创新研究院申请的专利一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411781443.9，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件是由杨昌;肖林;常慧聪;曲乐均;毛叶飞设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件，由周期性阵列的结构单元构成，每个结构单元包括红外透明雷达吸波层和位于所述红外透明雷达吸收层下方的电致变发射率层，红外透明雷达吸波层包含红外透明衬底和位于红外透明衬底上的超材料吸波结构，电致变发射率层包含碳基变发射率复合膜和电极电路板，通过电极电路板改变碳基变发射率复合膜的红外发射率。本发明实现了电致变发射率器件兼容雷达吸波性能，有效解决了电致变发射率器件不具备雷达隐身能力的问题。
本发明授权一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件在权利要求书中公布了：1.一种兼容雷达吸波的变红外发射率器件，其特征在于：由周期性阵列的结构单元构成，每个结构单元包括红外透明雷达吸波层1和电致变发射率层2，所述红外透明雷达吸波层1包含红外透明衬底12和位于红外透明衬底上的超材料吸波结构11，所述超材料吸波结构11为由具有一定方阻值和图形形状的导电薄膜制成的电磁结构，对于单个结构单元，阵列周期a为5～15mm，超材料吸波结构11的图形面积占结构单元面积比例为8～15％，方阻为8～30Ωsq；电致变发射率层2包含碳基变发射率复合膜21和电极电路板22，通过电极电路板22改变碳基变发射率复合膜21的红外发射率；所述电致变发射率层2位于红外透明衬底12的下方。
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