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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698095B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411874843.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张言彩设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：提供基底，所述基底中形成有互连层结构和隔离结构，所述基底暴露所述隔离结构的顶部，所述基底上形成有第一介质层；在所述基底和第一介质层中形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露所述互连层结构的部分顶部；在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成焊垫，以及在所述隔离结构顶部的第一介质层上形成金属栅格。本发明实施例在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成焊垫，以及在所述隔离结构顶部的第一介质层上形成金属栅格有利于减少形成半导体结构的步骤，相应有利于提高形成半导体结构的工艺效率，从而有利于缩短半导体结构的生产周期时间；而且，还有利用降低半导体结构的工艺成本。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底中形成有互连层结构和隔离结构，所述基底暴露所述隔离结构的顶部，所述基底上形成有第一介质层； 在所述基底和第一介质层中形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露所述互连层结构的部分顶部； 在同一步骤中，在所述第一凹槽中形成焊垫，以及在所述隔离结构顶部的第一介质层上形成金属栅格； 其中，形成所述第一凹槽的步骤包括：在所述互连层结构上方的第一介质层、以及部分厚度的基底中形成第一子凹槽，所述第一子凹槽与所述互连层结构相对应；去除所述第一子凹槽底部的第一部分区域的基底，形成与所述第一子凹槽相贯通的第二子凹槽，所述第二子凹槽暴露所述互连层结构的部分顶部； 形成所述第一子凹槽后，形成所述第二子凹槽前，所述方法还包括：在所述第一子凹槽的底部和侧壁上，以及所述第一子凹槽外侧的第一介质层上形成第二介质层，位于所述第一子凹槽侧壁上的第二介质层作为侧墙； 在形成所述第二子凹槽的步骤中，在所述第一子凹槽外侧的第一介质层和第二介质层中形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述基底；在形成所述焊垫和金属栅格的步骤中，还在所述第二凹槽中形成接地结构，所述接地结构还延伸覆盖所述第二介质层的部分顶部。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人浙江创芯集成电路有限公司，其通讯地址为：311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道平澜路2118号浙江大学杭州国际科创中心水博园区11幢4层-5层(自主申报)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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