先导科技集团有限公司丁康获国家专利权
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龙图腾网获悉先导科技集团有限公司申请的专利一种硅基小球阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119644671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411949216.2，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种硅基小球阵列的制备方法是由丁康;孙理斌;曾广锋设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基小球阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及非球面阵列器件技术领域，具体公开了一种硅基小球阵列的制备方法及加热装置，包括以下步骤：首先，在硅基基材表面蒸镀表面处理剂使其表面的接触角处于30~35°这一区间范围内；随后开展旋涂匀胶以及光刻显影这一系列操作，得到中心低、边缘高的递进式胶柱结构；针对所形成的胶柱结构，运用局部梯度温变的加热方式展开热回流处理，且设置加热温度由边缘向中心呈梯度上升的分布趋势，随后加热使胶柱成功转变为阵列小球；最后取阵列小球进行ICP刻蚀操作，得到硅基小球阵列。本申请方法制备的硅基小球阵列展现出了较高的均一性，解决了匀胶过程中的厚度不均以及ICP刻蚀阶段的速率不一致等因素所导致的硅基小球阵列均匀性欠佳的问题。
本发明授权一种硅基小球阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种硅基小球阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，基材表面处理：在硅基基材表面蒸镀表面处理剂使硅基基材表面的接触角达到30~35°； 步骤S2，匀胶：以硅基基材的中心为圆心、边缘为圆周进行旋涂操作，形成厚度由中心向边缘呈递增式的胶膜； 步骤S3，光刻显影：使用光刻机和掩膜版对胶膜进行光刻，光刻结束后进行显影操作，获得高度由中心向边缘呈递增式的胶柱； 步骤S4，热回流：将胶柱置于圆形加热装置上，设置圆形加热装置的温度由边缘向中心呈梯度上升的分布趋势，随后加热预设时长使胶柱形成阵列小球； 步骤S5，ICP刻蚀：对阵列小球进行ICP刻蚀操作，刻蚀预设时长，得到硅基小球阵列。
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