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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119628594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411693041.3，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器结构及制备方法是由聂萌;王磊设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器结构及制备方法，该薄膜体声波谐振器结构包括谐振结构以及电容式应力调控结构。电容式应力调控结构包括第一应力调控结构和第二应力调控结构；第一应力调控结构和第二应力调控结构皆为平行板电容式结构；谐振结构位于第一应力调控结构和第二应力调控结构之间。本发明中，第一应力加载结构中的第一顶电极和第二应力加载结构中的第三底电极在静电力的驱动下，使压电层的弹性刚度系数发生变化，进而使谐振器的谐振频率发生变化，实现温度补偿。同时调制信号与激励信号可有效分离，具有体积小、成本低、功耗低的特点。其制备方法简便，可大规模制备。

本发明授权一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有双应力调节的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括谐振结构以及电容式应力调控结构；所述电容式应力调控结构包括第一应力调控结构和第二应力调控结构；所述谐振结构位于所述第一应力调控结构和所述第二应力调控结构之间； 所述第一应力调控结构包括自下而上的第一基底1、第一底电极2、第一空腔4、第一绝缘层3以及第一顶电极5；其中，第一空腔4位于第一绝缘层3，且设置在第一底电极2与第一顶电极5之间； 所述第二应力调控结构包括自下而上的第三底电极11、第二空腔14、第四绝缘层12、第五绝缘层13、第三顶电极15以及第二基底16；其中，第二空腔14位于第四绝缘层12和第五绝缘层13，且设置在第三底电极11与第三顶电极15之间； 所述谐振结构包括自下而上的第二绝缘层6、第二底电极7、压电层8、第二顶电极9和第三绝缘层10； 所述第一空腔4、第一顶电极5、第二绝缘层6，第二底电极7、压电层8、第二顶电极9、第三绝缘层10、第三底电极11和第二空腔14在厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效谐振区域。

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