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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119602777B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411652885.3，技术领域涉及：H03K17/74；该发明授权一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器是由黄梓桐;王兰;何旭升;张雅鑫设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器，包括电磁波输入区域、金属薄膜拓扑结构传输区域、控制信号馈入区域、电磁波输出区域，所述金属薄膜拓扑结构传输区域由若干个两种不同原胞按照六角晶格阵列排布构成，且在原胞畴壁交界处安装肖特基二极管，肖特基二极管的分布周期与原胞晶格常数相同，所述肖特基二极管由控制信号馈入区域的电压控制通断状态。本发明利用金属薄膜构建蜂窝晶格拓扑结构，在拓扑结构中利用结构微扰打破空间反演对称性从而打开拓扑带隙，通过在畴壁交界处安装肖特基二极管，可以通过调控带隙色散模式分布从而实现高开关比的拓扑边界态单模传输调控。

本发明授权一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于肖特基二极管的片上拓扑态调制器，其特征在于：包括电磁波输入区域、金属薄膜拓扑结构传输区域、控制信号馈入区域和电磁波输出区域，所述电磁波输入输出区域由微带线构成，微带线的一端连接在金属薄膜拓扑结构传输区域，另一端通过探针与馈入源接收端相连；所述金属薄膜拓扑结构传输区域由若干个A、B两种原胞按照六角晶格阵列排布构成，A、B原胞呈180°中心旋转对称，A原胞区域与B原胞区域沿垂直方向相接，且垂直方向原胞周期数大于等于4，在A、B原胞畴壁交界处安装有肖特基二极管，用于调控拓扑边界态的电磁传输特性，肖特基二极管的分布周期与原胞晶格常数相同，所述肖特基二极管由控制信号馈入区域的电压控制通断状态； 所述肖特基二极管的阴极装配在原胞畴壁交界处的拓扑结构上，通过金属通孔与背面金属板连接而接地，肖特基二极管的阳极装配在焊盘上，通过与焊盘连接的第一金属盲孔、中金属层及第二金属盲孔与控制信号馈入区域连接，肖特基二极管的数量共计M个，M大于等于4。

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