西安隆基乐叶光伏科技有限公司杨亚娣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利太阳能电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119545979B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510095736.X，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及光伏组件是由杨亚娣;魏嘉祥;亢磊;赵赞良;平飞林设计研发完成，并于2025-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种太阳能电池及光伏组件，属于半导体技术领域。该太阳能电池，包括：硅基底，包括具有导电区的表面；掺杂半导体层，位于硅基底的导电区上，掺杂半导体层包括电极区；钝化减反层，位于掺杂半导体层的远离硅基底的表面；电极，位于钝化减反层上，电极穿过钝化减反层和电极区的部分相接触；其中，位于电极区边缘的钝化减反层具有第一腐蚀区，第一腐蚀区具有多个第一孔洞。
本发明授权太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底，包括具有导电区的表面； 掺杂半导体层，位于所述硅基底的所述导电区上，所述掺杂半导体层包括电极区； 钝化减反层，位于所述掺杂半导体层的远离所述硅基底的表面； 电极，位于所述钝化减反层上，所述电极穿过所述钝化减反层和所述电极区的部分相接触； 其中，位于电极区边缘的钝化减反层具有第一腐蚀区，所述第一腐蚀区中沿所述电极延伸方向和所述电极宽度方向均分布有多个第一孔洞，所述电极区包括第二腐蚀区，所述第二腐蚀区位于所述电极区的中间位置，所述第二腐蚀区中沿所述电极延伸方向和所述电极宽度方向均分布有多个第二孔洞； 所述掺杂半导体层包括N型掺杂半导体层，位于所述N型掺杂半导体层上所述钝化减反层的第一孔洞的孔径为20~300nm；和或，所述掺杂半导体层包括P型掺杂半导体层，位于所述P型掺杂半导体层上所述钝化减反层的第一孔洞为40~400nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安隆基乐叶光伏科技有限公司，其通讯地址为：710100 陕西省西安市长安区国家民用航天产业基地航天中路388号员工餐厅二楼207室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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