重庆康佳光电科技有限公司苟先华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电科技有限公司申请的专利垂直结构LED芯片组件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119521864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311017679.0，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权垂直结构LED芯片组件的制作方法是由苟先华;张彬彬;肖峰;苏财钰设计研发完成，并于2023-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直结构LED芯片组件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种垂直结构LED芯片组件的制作方法，该方法包括：提供多个外延结构，一个外延结构对应形成一个垂直结构LED芯片，提供驱动基板，将多个外延结构通过键合金属层键合于驱动基板上；进而在外延结构远离驱动基板一面形成掩膜层，该掩膜层为光刻胶和或功能层，该功能层吸收特定溶液后膨胀；再对相邻外延结构之间的键合金属层进行刻蚀得到作为垂直结构LED芯片的其中一个电极的子键合金属层，在对键合金属层刻蚀过程中将会有部分金属溅射粘附至掩膜层上，刻蚀完成后，去除该掩膜层即可同步去除粘附的金属，避免刻蚀过程中金属直接溅射粘附至外延结构上；再在基板一侧形成垂直结构LED芯片的另一个电极。
本发明授权垂直结构LED芯片组件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构LED芯片组件的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 提供多个外延结构，一个所述外延结构对应形成一个垂直结构LED芯片； 提供驱动基板； 将所述多个外延结构通过键合金属层键合于所述驱动基板； 在所述多个外延结构远离所述驱动基板一面形成掩膜层，所述掩膜层为光刻胶层和或功能层，所述功能层吸收特定溶液后膨胀； 对相邻所述外延结构之间的所述键合金属层进行刻蚀形成与所述外延结构相对应的子键合金属层和蚀刻过程中溅射的所述键合金属层粘附于所述掩膜层上，所述子键合金属层为所述垂直结构LED芯片的一个电极； 去除所述掩膜层； 在所述外延结构远离所述驱动基板一侧形成所述垂直结构LED芯片的另一个电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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