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龙图腾网获悉广东长兴半导体科技有限公司申请的专利一种针对存储芯片制备下的场景建模方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119494265B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411543817.3，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权一种针对存储芯片制备下的场景建模方法及系统是由张治强;苏允康;杨师设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种针对存储芯片制备下的场景建模方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及存储芯片技术领域，揭露了一种针对存储芯片制备下的场景建模方法，包括：利用拆解零件生成存储芯片的内部电路图，识别内部电路图的等效电路图，构建等效电路图的等效电路模型，对等效电路模型进行模型微分化，利用微分化模型生成存储芯片的电信号建模结果；从拆解零件中查询存储芯片的发热零件，利用内部电路图识别发热零件的发热电路图，构建发热电路图的发热电路模型，计算发热电路模型中属于发热零件的发热参数；从拆解零件中查询存储芯片的变形零件，计算变形零件的变形参数，构建变形零件的温度参数与变形参数之间的初始变形模型，利用粒子群算法对初始变形模型进行精度调整。本发明可细致化场景建模的同时减轻场景建模工作量。

本发明授权一种针对存储芯片制备下的场景建模方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种针对存储芯片制备下的场景建模方法，其特征在于，所述方法包括： 划分存储芯片的待建模场景，其中，所述待建模场景包括电信号场景、温度场景及结构场景； 在所述电信号场景下，对所述存储芯片进行芯片拆解，得到拆解零件，利用所述拆解零件生成所述存储芯片的内部电路图，识别所述内部电路图的等效电路图，构建所述等效电路图的等效电路模型，对所述等效电路模型进行模型微分化，得到微分化模型，利用所述微分化模型生成所述存储芯片的电信号建模结果； 在所述温度场景下，从所述拆解零件中查询所述存储芯片的发热零件，利用所述内部电路图识别所述发热零件的发热电路图，构建所述发热电路图的发热电路模型，计算所述发热电路模型中属于所述发热零件的发热参数，将所述发热参数插入至所述发热电路模型中，得到所述存储芯片的温度建模结果； 在所述结构场景下，从所述拆解零件中查询所述存储芯片的变形零件，计算所述变形零件的变形参数，构建所述变形零件的温度参数与所述变形参数之间的初始变形模型，利用预设的粒子群算法对所述初始变形模型进行精度调整，得到调整变形模型，利用所述调整变形模型确定所述存储芯片的结构建模结果； 将所述电信号建模结果、所述温度建模结果及所述结构建模结果作为所述存储芯片在所述待建模场景下的场景建模结果。

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