武汉大学王植平获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411532434.6，技术领域涉及：H10K71/16；该发明授权一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法是由王植平;杨远航;程思阳设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及钙钛矿太阳能电池技术领域。本发明通过在空穴传输层和钙钛矿层之间设置第一金属氧化物层，在钙钛矿层和电子传输层之间设置第二金属氧化物层，并对设置第一和第二金属氧化物层的原子层沉积技术进行工艺优化改进，调控了界面载流子浓度分布，降低了界面非辐射复合速率，提升反式钙钛矿太阳能电池光电转换效率的同时也提升了器件稳定性。
本发明授权一种反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种反式钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上制备空穴传输层，在所述空穴传输层上第一次循环沉积处理，制备得到第一金属氧化物层； 在所述第一金属氧化物层的表面设置钙钛矿层，在所述钙钛矿层的表面第二次循环沉积处理，制备得到第二金属氧化物层； 在所述第二金属氧化物层表面设置电子传输层，在所述电子传输层表面设置电极层； 所述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的材料为氧化铪、氧化锆、氧化钇、氧化钽、氧化铝和氧化镁中的一种或多种； 通过原子层沉积方式进行所述第一次循环沉积处理和第二次循环沉积处理的方法分别为：在25-150℃下，脉冲喷涂金属源0.01-1s，使用保护性气体吹扫1-100s，脉冲喷水0.01-1s，使用保护性气体吹扫1-100s，循环处理1-50次； 所述第一次循环沉积处理结束后还进行100-500℃退火处理。
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