重庆康佳光电科技有限公司牛群磊获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆康佳光电科技有限公司申请的专利一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486412B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310959923.9，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管是由牛群磊设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管外延结构及其制作方法、发光二极管，涉及半导体制造领域，该发光二极管外延结构包括：第一类型半导体层；发光层，设置于所述第一类型半导体层一侧；以及第二类型半导体层，设置于所述发光层背离所述第一类型半导体层的一侧；其中，所述第一类型半导体层包括第一类型欧姆接触层和砷化系的第一类型反射层，所述第一类型反射层设置于所述第一类型欧姆接触层和所述发光层之间，通过所述第一类型反射层对所述第一类型欧姆接触层进行电流扩展，并对所述发光层的光进行反射。本申请可有效提高发光二极管的发光效率。
本发明授权一种发光二极管外延结构及其制备方法、发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延结构，其特征在于，包括： 第一类型半导体层； 发光层，设置于所述第一类型半导体层一侧；以及 第二类型半导体层，设置于所述发光层背离所述第一类型半导体层的一侧； 其中，所述第一类型半导体层包括第一类型欧姆接触层和砷化系的第一类型反射层，所述第一类型反射层设置于所述第一类型欧姆接触层和所述发光层之间，通过所述第一类型反射层对所述第一类型欧姆接触层进行电流扩展，并对所述发光层的光进行反射； 所述第一类型反射层包括多个子结构层，每个所述子结构层包括多组循环对，每组所述循环对由第一反射子层和第二反射子层堆叠得到； 所述第一反射子层的材料包括Alx1Ga1-x1As，所述第二反射子层的材料包括Alx2Ga1-x2As，其中x1的取值范围介于0.5到0.55之间，x2的取值范围介于0.9到0.95之间。
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