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浙江大学;浙江大学台州研究院刘可凡获国家专利权

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龙图腾网获悉浙江大学;浙江大学台州研究院申请的专利一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法及其产品和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119433709B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411521497.1,技术领域涉及:C30B29/22;该发明授权一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法及其产品和应用是由刘可凡;洪子健;黄玉辉;吴勇军设计研发完成,并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法及其产品和应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法,包括:将衬底传入分子束外延MBE生长腔室内,衬底温度≥Bi源的蒸发温度;将Bi源和Fe源升温至蒸发温度,并调节Bi源和Fe源的束流大小;采用纯臭氧作为外延生长气氛,调节生长腔室压力至2×10‑6‑1×10‑5Torr,Bi源和Fe源在生长腔室混合进行外延生长;降温得到铁酸铋外延纳米岛。本发明还公开了通过上述制备方法得到的铁酸铋纳米岛及其在铁电存储器上的应用。该制备方法可实现铁酸铋外延纳米岛的大面积集成,无模板等第二相引入,工艺步骤简单,制备效率高;制备的铁酸铋纳米岛具有良好的集成度,每个纳米岛之间相对独立,可以进行信息的独立写入和擦除,能够有效束缚畴壁位置,提高存储器使用寿命。

本发明授权一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法及其产品和应用在权利要求书中公布了:1.一种基于分子束外延法的铁酸铋纳米岛的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括: 1将衬底传入分子束外延MBE生长腔室内,衬底温度≥Bi源的蒸发温度; 2将Bi源和Fe源升温至蒸发温度,并调节Bi源和Fe源的束流大小; 3采用纯臭氧作为外延生长气氛,调节生长腔室压力至2×10-6-1×10-5Torr,Bi源和Fe源在生长腔室混合进行外延生长; 4外延生长结束后降温得到铁酸铋外延纳米岛; 在步骤1中,所述衬底为110取向的钪酸盐单晶衬底,所述衬底的斜切角小于0.2°,表面具有宽度为100-500nm且平行排列的原子台阶,所述衬底的表面整体粗糙度小于0.4nm; 在步骤2中,所述Bi源和Fe源的束流比大于等于4:1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人浙江大学;浙江大学台州研究院,其通讯地址为:310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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