湖南大学罗安获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119420327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411402155.8，技术领域涉及：H03K5/153；该发明授权无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统是由罗安;魏伊杨;徐千鸣;胡家瑜;徐百龙设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种无电流传感器的SiCMOSFET硬开关损耗测量方法及系统，在双脉冲测量方法的基础上，取消电流测量，通过解析电压波形变化特征来得到电流波形。其中漏源电压的测量非常简便，不会对变换器的布局和体积造成影响，且测量所用时间很短。该方法可推广至任何具有等效半桥换流回路的拓扑。
本发明授权无电流传感器的SiC MOSFET硬开关损耗测量方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种无电流传感器的SiCMOSFET硬开关损耗测量方法，采用双脉冲测试平台进行测量，所述双脉冲测试平台包括半桥电路，所述半桥电路两端与直流源连接；所述半桥电路包括两个同相串联的SiCMOSFET；半桥电路上管SiCMOSFET与负载电感并联；其特征在于，该方法包括： 利用下式计算SiCMOSFET硬关断损耗： 利用下式计算SiCMOSFET硬开通损耗： 其中，Vdc为直流源电压，tvr_off是下管关断时电压上升时间，tcf_off是下管关断时电流快速下降时间，Vdc是直流母线电压，Iload是开关时刻负载电流大小，Qoss1是上管结电容存储的电荷量； tcr_on是半桥电路下管开通时的电流快速上升时间，trr_on是反向恢复时间，tvf_on是半桥电路下管开通时电压快速下降时间，ΔVmax是硬开通期间漏源电流快速上升时回路寄生电感上电压的最大值。
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