深圳市昇维旭技术有限公司谢思聪获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利光刻胶去除方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119376198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311516971.7，技术领域涉及：G03F7/42；该发明授权光刻胶去除方法和系统是由谢思聪设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本光刻胶去除方法和系统在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种光刻胶去除方法和系统，该去除方法可包括：提供一具有目标浓度二氧化碳的第一去离子溶液；在第一温度和第一压力条件下，将第一表面具有光刻胶的晶圆置于所述第一去离子溶液中浸泡目标时长；响应于所述目标时长结束，使用第二去离子溶液对所述晶圆进行冲洗，得到去除光刻胶的目标晶圆。该方案使用常规化学试剂就可以有效去除光刻胶，从而降低了对废水的处理难度。
本发明授权光刻胶去除方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，所述去除方法包括： 提供一具有目标浓度二氧化碳的第一去离子溶液；包括：将二氧化碳气体通过气路引入去离子水中进行混合，得到具有目标浓度二氧化碳的混合去离子水；对所述混合去离子水进行加热加压，在第二温度和第二压力条件下得到所述第一去离子溶液；其中，所述目标浓度包括0.5%~2%，所述第二温度包括100℃~250℃，所述第二压力包括400psi~950psi； 在第一温度和第一压力条件下，将第一表面具有光刻胶的晶圆置于所述第一去离子溶液中浸泡目标时长；其中，所述第一温度包括100℃~250℃，所述第一压力包括400psi~950psi； 响应于所述目标时长结束，使用第二去离子溶液对所述晶圆进行冲洗，得到去除光刻胶的目标晶圆。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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