之江实验室刘冠东获国家专利权
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龙图腾网获悉之江实验室申请的专利基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119376015B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411239785.8，技术领域涉及：G02B6/13；该发明授权基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法是由刘冠东;万智泉;胥亮;贾志立;侯茂菁;邹黎明;朱洪力;洪悦设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法，通过对深刻蚀垂直结构进行侧壁平滑可以形成小于5nm粗糙度的垂直微镜结构，可以大幅降低光照射在硅基光学器件侧壁界面上的损耗，在硅晶圆上开发了量子计算芯片，实现了宏观空间光学和硅基光电子学之外的另一种光计算芯片结构，且工艺过程与先进封装工艺完全兼容，可以实现感、存、算的光电晶圆级系统集成。对于集成量子计算芯片、集成电路芯片和光传感芯片的晶上系统，通过垂直微镜技术降低TSV传输信号的串扰、损耗和延迟，而且通过法珀干涉实现了侧壁粗糙度的间接测量，进而对理想晶上系统仿真器进行修正，使其仿真器的仿真结果更接近晶上系统的真实测量结果。
本发明授权基于垂直微镜的量子计算芯片、晶上系统及其仿真器修正方法在权利要求书中公布了：1.一种量子计算芯片，其特征在于，所述量子计算芯片包括若干量子门，所述量子门通过如下过程制造得到： 在单晶硅晶圆上深刻蚀垂直结构； 对所述垂直结构进行侧壁平滑，形成垂直微镜，侧壁平滑方法包括但不局限于高温退火、低流量干法刻蚀、降低刻蚀和保护工艺交替周期、低浓度湿化学腐蚀、气体团簇离子束刻蚀； 使用光学真空镀膜机、物理气相沉积、化学气相沉积或原子层沉积的方法，在垂直微镜的侧壁表面沉积增反膜、增透膜、滤光膜、偏振膜、分光膜中的一种或多种； 使用双光子3D打印机在垂直微镜的侧壁打印亚微米结构，形成球面透镜、光阑、光栅、偏振片、半波片、超透镜、光波导中的一种或多种。
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