中国科学技术大学孙帅帅获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利抗冲击磁流变阻尼器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119373829B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310923435.2,技术领域涉及:F16F9/53;该发明授权抗冲击磁流变阻尼器是由孙帅帅;姜澜;龚兴龙;张世武;杨健;阮晓辉设计研发完成,并于2023-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本抗冲击磁流变阻尼器在说明书摘要公布了:本公开提供了一种抗冲击磁流变阻尼器,包括:缸体,内部适用于盛放磁流变液;活塞组件,可滑动的设置在缸体内,活塞组件将缸体内空间分割成上部空间和下部空间,活塞组件包括:活塞上端盖,中心设置有第一通孔;活塞下端盖,中心设置有第二通孔;环状永磁体,夹设在活塞上端盖和活塞下端盖之间,环状永磁体的内环空间与第一通孔、第二通孔同轴设置;隔磁环,套设在环状永磁体的外侧;线圈安装筒,设置在隔磁环外侧;励磁线圈,缠绕在线圈安装筒上;活塞缸体,套设在线圈安装筒外侧,活塞缸体分别与活塞上端盖、活塞下端盖密封连接,活塞缸体的内侧壁与励磁线圈之间存在间隙,间隙的上、下两端分别沿径向设置有连通第一通孔、第二通孔的径向通道。
本发明授权抗冲击磁流变阻尼器在权利要求书中公布了:1.一种抗冲击磁流变阻尼器,其特征在于,包括: 缸体,内部适用于盛放磁流变液; 活塞组件,可滑动的设置在所述缸体内,所述活塞组件将所述缸体内空间分割成上部空间和下部空间,所述活塞组件包括: 活塞上端盖,中心设置有第一通孔; 活塞下端盖,中心设置有第二通孔; 环状永磁体,夹设在所述活塞上端盖和所述活塞下端盖之间,所述环状永磁体的内环空间与所述第一通孔、所述第二通孔同轴设置; 隔磁环,套设在所述环状永磁体的外侧; 线圈安装筒,设置在所述隔磁环外侧; 励磁线圈,缠绕在所述线圈安装筒上; 活塞缸体,套设在所述线圈安装筒外侧,所述活塞缸体分别与活塞上端盖、所述活塞下端盖密封连接,所述活塞缸体的内侧壁与所述励磁线圈之间存在间隙,所述间隙的上、下两端分别沿径向设置有连通所述第一通孔、所述第二通孔的径向通道; 其中,所述内环空间、所述第一通孔和所述第二通孔构造成第一通道,所述间隙、所述径向通道、所述第一通孔和所述第二通孔构造成第二通道,响应于所述活塞组件的移动速度低于预设阈值,所述磁流变液仅通过所述第二通道流动,响应于所述活塞组件的移动速度大于或等于预设阈值,所述磁流变液同时通过所述第一通道和所述第二通道流动; 活塞杆,一端可滑动且密封地穿过所述缸体的第一端后与所述活塞上端盖螺纹连接。
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