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龙图腾网获悉深圳晶源信息技术有限公司申请的专利模型文件的生成方法、装置、设备、存储介质及程序产品获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119358499B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411380819.5，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权模型文件的生成方法、装置、设备、存储介质及程序产品是由王思琪;王航宇;赵丰胜设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本模型文件的生成方法、装置、设备、存储介质及程序产品在说明书摘要公布了：本申请公开了一种模型文件的生成方法、装置、设备、存储介质及程序产品，涉及刻蚀技术领域。该模型文件的生成方法包括：获取芯片版图中多个目标位置点各自对应的目标负载效应数据；根据各目标位置点的坐标位置以及与目标刻蚀负载效应对应的范围划分策略，分别得到与各目标位置点各自对应的多个区域范围；针对各目标位置点，分别计算目标位置点对应的区域范围的区域密度；根据各目标位置点的目标负载效应数据以及对应的各区域范围的区域密度，分别确定各目标位置点受目标刻蚀负载效应的目标影响区域；根据各目标位置点对应的目标影响区域，生成与目标刻蚀负载效应对应的模型文件。

本发明授权模型文件的生成方法、装置、设备、存储介质及程序产品在权利要求书中公布了：1.一种模型文件的生成方法，其特征在于，包括： 获取芯片版图中多个目标位置点各自对应的目标负载效应数据，所述多个目标位置点为能够衡量目标刻蚀负载效应的位置点，所述目标刻蚀负载效应包括长程刻蚀负载效应和短程刻蚀负载效应中的至少一种，在所述目标刻蚀负载效应为长程刻蚀负载效应的情况下，所述目标位置点为所述芯片版图的不同单元内第一网格的特征位置点，各所述第一网格分别对应单元的同一位置，在所述目标刻蚀负载效应为短程刻蚀负载效应的情况下，所述目标位置点为所述芯片版图的同一单元内第二网格的特征位置点，各所述第二网格分别对应单元的不同位置； 根据各所述目标位置点的坐标位置以及与所述目标刻蚀负载效应对应的范围划分策略，分别得到与各所述目标位置点各自对应的多个区域范围； 针对各所述目标位置点，分别计算所述目标位置点对应的所述区域范围的区域密度，所述区域密度用于表征所述区域范围内的刻蚀区域所占面积的比重； 根据各所述目标位置点的所述目标负载效应数据以及对应的各所述区域范围的区域密度，分别确定各所述目标位置点受所述目标刻蚀负载效应的目标影响区域，所述目标影响区域为所述区域密度满足预设拟合条件的区域范围； 根据各所述目标位置点对应的所述目标影响区域，生成与所述目标刻蚀负载效应对应的模型文件，以根据所述模型文件对各所述芯片版图的刻蚀负载偏差进行检测，所述刻蚀负载偏差为所述目标刻蚀负载效应所导致的偏差。

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