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龙图腾网获悉斯威森西公司申请的专利FET气体传感器设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119343600B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380046250.6，技术领域涉及：G01N27/414；该发明授权FET气体传感器设备是由章贞;胡奇涛设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本FET气体传感器设备在说明书摘要公布了：提供了一种被布置成感测气体的场效应晶体管FET气体传感器设备100、以及一种通过FET气体传感器设备感测气体的方法。FET气体传感器设备包括至少一个栅极110a，110b、源极120、漏极130、以及半导体沟道140。半导体沟道和栅极形成FET沟道‑栅极耦合150，通过该FET沟道‑栅极耦合，所施加的栅极电势被布置成控制流过半导体沟道的电流。FET气体传感器设备进一步包括空间200，该空间被布置在栅极与半导体沟道之间并且被配置为接收气体，由此所接收的气体被布置成影响FET沟道‑栅极耦合的电特性，并且其中，FET气体传感器设备被布置成基于FET沟道‑栅极耦合的受影响的电特性来感测气体。

本发明授权FET气体传感器设备在权利要求书中公布了：1.一种被布置成感测气体的场效应晶体管FET气体传感器设备100，包括： 至少一个栅极110a，110b， 源极120， 漏极130， 半导体沟道140，该半导体沟道被布置在该源极与该漏极之间，其中，该半导体沟道和该至少一个栅极形成FET沟道-栅极耦合150，通过该FET沟道-栅极耦合，所施加的栅极电势被布置成控制流过该半导体沟道的电流，以及 至少一个空间200，该至少一个空间被布置在该至少一个栅极与该半导体沟道之间， 衬底145， 其中，该至少一个栅极、该半导体沟道、该至少一个空间、以及该源极和该漏极中的至少一个被布置在与该衬底的表面平行的同一平面中， 其中，该至少一个空间被配置为接收气体，以及 至少一个层300,310,320，该至少一个层设置在该半导体沟道的至少一部分上，其中，该至少一个层包括： 第一层300，该第一层包括金属纳米颗粒，其中，该第一层被布置成与被接收在该至少一个空间中的气体相互作用，以及 第三层320，其中，该第三层是介电的并且被布置成钝化该半导体沟道的表面，其中，该第三层设置在该半导体沟道的至少一部分上，并且该第一层被布置在该第三层的至少一部分上， 其中，该至少一个层包括设置在该半导体沟道的面向该至少一个栅极中的栅极的表面上的部分， 由此，被接收在该至少一个空间中的气体被布置成影响该FET沟道-栅极耦合的至少一种电特性，并且其中，该FET气体传感器设备被布置成基于该FET沟道-栅极耦合的受影响的至少一种电特性来感测气体。

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