重庆芯联微电子有限公司敖振宇获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆芯联微电子有限公司申请的专利OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119322424B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411662360.8，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法是由敖振宇;陈咏翔;曾鼎程;范富杰;胡展源设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法，所述OPC后的检测模型的建立方法，包括：获取OPC后的第一样品图形，第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真；获取第一样品图形的光学模型及对应的失真等级；对光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，量测数据及量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像；将光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于判定OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。本发明用于优化对部分热点缺陷的检出效果及检出效率。
本发明授权OPC后的检测模型及其建立方法、优化OPC验证的方法在权利要求书中公布了：1.一种OPC后的检测模型的建立方法，其特征在于，包括： 获取OPC后的第一样品图形，其具有预设的尺寸参数及曝光参数，所述第一样品图形在光刻后容易出现光刻胶顶部形貌失真； 获取所述第一样品图形的光学模型及对应的失真等级； 对所述光学模型采用不同曝光参数进行光刻仿真以获得不同失真等级的量测数据和量测图像，所述量测数据及所述量测图像包括反映光刻胶曝光后的顶部形貌的线宽及图像； 将所述光学模型在不同曝光参数下对应的失真等级、量测数据和量测图像投入样品图形库建立检测模型，用于检测OPC后的版图数据中是否存在与所述光学模型在相同曝光参数下相匹配的图形，并以此判定所述OPC后的版图数据中是否存在光刻胶的顶部形貌异常的图形。
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