长鑫存储技术有限公司季宏凯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119297160B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310813815.0，技术领域涉及：H10W70/63；该发明授权半导体封装结构及其制备方法是由季宏凯设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体封装结构及其制备方法，包括衬底、无基板重布线层及隔离缓冲层，衬底上包括互联区及位于互联区的外围的焊盘；无基板重布线层位于互联区内且全部嵌入衬底内，用于电连接位于衬底上的至少两个裸片，两个裸片分别经由对应的焊盘与衬底电连接；隔离缓冲层位于无基板重布线层的外侧壁与衬底之间,至少能够解决多芯片的高密度互联问题，降低封装成本，减小封装结构的体积，提高封装结构的输入输出带宽和功率效率。
本发明授权半导体封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于， 包括： 衬底，其上包括互联区及位于所述互联区的外围的焊盘； 无基板重布线层，位于所述互联区内且全部嵌入所述衬底内，用于电连接位于所述衬底上的至少两个裸片，所述两个裸片分别经由对应的焊盘与所述衬底电连接； 隔离缓冲层，位于所述无基板重布线层的外侧壁与所述衬底之间；以及 模塑层，所述模塑层覆盖所述至少两个裸片，且位于不同所述裸片之间、所述裸片与所述衬底之间； 其中，所述无基板重布线层的顶面与所述衬底的顶面齐平；所述模塑层与所述隔离缓冲层的热膨胀系数在同一数量级，且所述模塑层的热膨胀系数小于所述隔离缓冲层的热膨胀系数。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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