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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司;嵩山实验室申请的专利磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247219B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411212360.8，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法是由王浩;杜君;臧志成;孙恒超;方东明;苏士辉;宋雪涛;秦理想;樊琳;闻志国;王连忠;李腾浩设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁传感芯片检测领域，提供一种磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法。所述装置包括：温箱、温漂测试模块及信号采集模块，所述温漂测试模块设置在温箱内，所述信号采集模块与所述温漂测试模块连接；所述温漂测试模块包括m个磁场发生模块，每一个磁场发生模块包括永磁体卡座及多个永磁体，所述永磁体卡座设有用于容纳待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的通孔，多个永磁体置于所述通孔两侧的永磁体卡座内；所述信号采集模块具有m个通道，用于同时采集m个磁场发生模块对应的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的输出信号。通过本发明可以低成本、高效率的实现线性磁敏传感芯片的灵敏度温漂测试。

本发明授权磁传感芯片灵敏度温漂测试装置及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感芯片灵敏度温漂测试方法，其特征在于，所述方法基于磁传感芯片灵敏度温漂测试装置，所述装置包括：温箱、温漂测试模块及信号采集模块，温箱内的温度可调节，温漂测试模块设置在温箱内，信号采集模块与温漂测试模块连接；温漂测试模块包括m个磁场发生模块，每一个磁场发生模块包括永磁体卡座及多个永磁体，永磁体卡座设有用于容纳待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的通孔，多个永磁体置于通孔两侧的永磁体卡座内；信号采集模块具有m个通道，用于同时采集m个磁场发生模块对应的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片的输出信号，其中，m为大于或等于1的正整数； 所述方法包括： 将合理数量的永磁体置于永磁体卡座内，使得永磁体卡座的通孔内的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片所在区域为满磁状态；分别设置温箱的目标温度为基准温度、低温点温度、高温点温度，使待测磁传感芯片及标准磁传感芯片处于基准温度、低温点温度、高温点温度的测试环境中，并记录信号采集模块的各采集通道对应的待测磁传感芯片的输出电压值及标准磁传感芯片的输出电压值； 将永磁体卡座内的永磁体取出，使得永磁体卡座的通孔内的待测磁传感芯片及标准磁传感芯片所在区域为零磁状态；分别设置温箱的目标温度为基准温度、低温点温度、高温点温度，使待测磁传感芯片及标准磁传感芯片处于基准温度、低温点温度、高温点温度的测试环境中，并记录信号采集模块的各采集通道对应的待测磁传感芯片的输出电压值及标准磁传感芯片的输出电压值； 根据满磁状态时标准磁传感芯片的输出电压值、零磁状态时标准磁传感芯片的输出电压值以及标准磁传感芯片的灵敏度确定满磁场和零磁场的磁场差值，根据满磁状态时待测磁传感芯片的输出电压值、零磁状态时待测磁传感芯片的输出电压值以及满磁场和零磁场的磁场差值计算待测磁传感芯片的灵敏度，根据待测磁传感芯片在基准温度、低温点温度、高温点温度的测试环境中的灵敏度，计算待测磁传感芯片的灵敏度温漂系数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京智芯微电子科技有限公司;北京智芯半导体科技有限公司;嵩山实验室，其通讯地址为：100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园A区3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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