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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119224516B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383438.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法是由王智强;豆加龙;孔武斌;时晓洁设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法在说明书摘要公布了：本发明属于电力电子器件状态监测技术领域，公开了一种基于开通延迟积分器的SiCMOSFET结温在线监测电路和方法，该电路包括：栅极电压检测电路、功率源极电压检测电路、比较器电路、触发器电路、隔离电路和高精度积分保持电路；栅极电压检测电路通过测量缩放后的SiCMOSFET器件栅极电压，传输到比较器电路；功率源极电压检测电路实时测量缩放后的SiCMOSFET器件功率源极电压VL，将功率源极电压滤波并由反相放大器进行反比例放大，传输到比较器电路；比较器电路将栅极电压和功率源极电压分别与比较器的参考电压Vref1和比较器的参考电压Vref2进行比较，分别输出两个脉冲比较信号V1和V2，然后将两个脉冲比较输出信号传输到触发器电路。本发明在多个SiCMOFET芯片并联时能够测得芯片的最高结温，更利于对电力电子设备和器件状态进行在线评估。

本发明授权基于开通延迟积分器的SiC MOSFET结温在线监测电路和方法在权利要求书中公布了：1.一种基于开通延迟积分器的SiCMOSFET结温在线监测电路，其特征在于，该电路包括：栅极电压检测电路、功率源极电压检测电路、比较器电路、触发器电路、隔离电路和高精度积分保持电路； 所述栅极电压检测电路通过电压跟随器1实时测量缩放后的SiCMOSFET器件栅极电压Vgs，并将栅极电压滤波后传输到比较器电路； 所述功率源极电压检测电路通过电压跟随器2实时测量缩放后的SiCMOSFET器件功率源极电压VL，并将功率源极电压滤波并由反相放大器进行反比例放大后传输到比较器电路； 所述比较器电路将栅极电压和功率源极电压分别与比较器1的参考电压Vref1和比较器2的参考电压Vref2进行比较，输出两个脉冲比较信号V1和V2，并传输至触发器电路； 所述触发器电路接收到脉冲比较输出信号，产生一个与SiCMOSFET开通延迟大小有关的开通脉冲信号V3，开通脉冲信号V3的宽度为Ton,dyn，脉冲宽度通过调节栅极电压检测电路滤波电容的大小进行调整； 所述隔离电路接收触发器电路发出的脉冲信号，并将该信号传输到高精度积分保持电路； 还设置有用于SiCMOSFET结温监测的补偿校准电路，所述电路包括： 一个热电偶安装在SiCMOSFET基板上，用于测量环境温度，并通过热电偶两端的电压信号生成环境温度信息； 一个积分电压检测模块，用于在SiCMOSFET的多次开通过程中生成积分电压信号V4； 一个比较模块，用于比较热电偶测得的环境温度信息和通过积分电压信号V4计算得到的SiCMOSFET结温信息； 一个控制器，与比较模块连接，用于根据二者的差异调节栅极电压检测电路中的滤波电容，以控制开通脉冲信号V3的脉冲宽度，从而补偿SiCMOSFET器件的老化影响，确保结温监测的准确性和稳定性； 所述高精度积分保持电路由电阻R1、R2，电容C1，二极管D1和开关管S1组成，用于将脉冲宽度为Ton,dyn的开通脉冲信号V3在时间尺度上进行积分，从而将开通脉冲信号V3转换为积分电压信号V4，通过测量该积分电压信号V4实现对SiCMOSFET结温的在线测量。

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