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合肥领航微系统集成有限公司张政虎获国家专利权

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龙图腾网获悉合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119186975B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411365494.3,技术领域涉及:B06B1/06;该发明授权一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法是由张政虎;杨胜;满陆祥设计研发完成,并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体工艺技术超声换能器制造技术领域,尤其涉及一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法,包括衬底,在衬底的正面形成压电层,衬底开设贯穿背腔,在压电层的表面形成结构层,结构层的厚度大于压电层中压电薄膜的厚度,使中性面位于所述结构层横向投影面积范围内;贯穿结构层和压电层的振膜区域形成缝隙,若干振动结构通过因缝隙形成的中心结构连接。制备方法包括:生长压电层,刻蚀压电层,形成缝隙,生长结构层,刻蚀结构层;贯穿刻蚀衬底。本发明采用氧化硅作为结构层,工艺应力低,可以有效降低谐振频率;贯穿刻蚀缝隙,提升芯片的灵敏度,减小应力作用,中心部位因刻蚀留有连接部,避免漏音,也避免产生多个谐振频率。

本发明授权一种基于压电MEMS芯片的超声换能器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种基于压电MEMS芯片的超声换能器,包括衬底1,所述衬底1具有相对的正面及背面,在所述衬底1的正面形成压电层2,其特征在于: 所述衬底1背面开设有贯穿至压电层2的背腔,在所述压电层2的表面形成有结构层3,所述背腔纵向投影面积范围内的压电层2和结构层3为振膜,所述结构层3的厚度大于所述压电层2中压电薄膜22的厚度,使中性面位于所述结构层3横向投影面积范围内; 其中,振膜区域形成贯穿所述结构层3和所述压电层2的缝隙3a,所述缝隙3a用于减小应力作用; 所述振膜区域因缝隙3a分为若干振动结构3b,若干振动结构3b通过因缝隙3a形成的中心结构3c连接; 所述中心结构3c上开设有与缝隙3a数量相同,且与缝隙3a不连通的V型槽3d,所述V型槽3d围绕振膜中心呈环形阵列排布。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥领航微系统集成有限公司,其通讯地址为:230031 安徽省合肥市高新区孔雀台路2899号联东U谷·合肥高新国际企业港18-101号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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