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龙图腾网获悉北京高星华辰传感科技有限公司申请的专利一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119124413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-01-06发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411275407.5，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法是由王飞翔;丰永;朱海东;倪阳设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法，压力传感器包括第一衬底、第一压敏电阻条、第二压敏电阻条、第二衬底、上极板和下极板；所述第一衬底的下表面设置有第一凹槽和第二凹槽，环形的所述第二凹槽环设于所述第一凹槽的外侧，且所述第一凹槽和所述第二凹槽之间形成环形凸台；所述第一压敏电阻条与所述第一凹槽相对应，所述第二压敏电阻条与所述第二凹槽相对应；所述环形凸台的底部设置所述上极板；所述第二衬底的顶部设置下极板，所述下极板的顶部设置有与所述第三凹槽配合的凸起；所述第二衬底的上表面和所述第一衬底的下表面键合。本发明的一个技术效果在于，不仅具有较宽的量程，还能在全量程范围内保持较高的综合性能。

本发明授权一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS压阻式压力传感器，其特征在于，包括： 第一衬底，所述第一衬底的下表面设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽位于所述第一衬底的下表面中部，环形的所述第二凹槽环设于所述第一凹槽的外侧，且所述第一凹槽和所述第二凹槽之间形成环形凸台；其中，第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度； 多个第一压敏电阻条和多个第二压敏电阻条，多个第一压敏电阻条和多个第二压敏电阻条均设置于所述第一衬底的上表面，且所述第一压敏电阻条与所述第一凹槽相对应，所述第二压敏电阻条与所述第二凹槽相对应；多个第一压敏电阻条形成第一惠斯通电桥，多个第二压敏电阻条形成第二惠斯通电桥，所述第一惠斯通电桥与所述第二惠斯通电桥串联； 第二衬底、上极板和下极板，所述环形凸台的底部设置所述上极板，所述上极板的底部设置有第三凹槽；所述第二衬底的顶部设置下极板，所述下极板的顶部设置有与所述第三凹槽配合的凸起；所述第二衬底的上表面和所述第一衬底的下表面键合，且部分所述凸起嵌设于所述第三凹槽内，所述上极板可相对于所述下极板向下移动至预设位置； 所述第二衬底上方并与第一凹槽相对应的区域构成第一压力敏感薄膜结构，且所述第二衬底上方并与第一凹槽、环形凸起、第二凹槽相对应的区域共同构成第二压力敏感薄膜结构。

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